超大规模集成电路分析与设计

1 (p1): 第一章 MOS器件按比例缩小及其影响
2 (p1-1): 1.1 CMOS器件和电路的基本知识
2 (p1-1-1): 1.1.1 MOS器件的结构和原理
9 (p1-1-2): 1.1.2 CMOS逻辑电路基础
23 (p1-2): 1.2 按比例缩小理论
23 (p1-2-1): 1.2.1 CE规则按比例缩小理论
27 (p1-2-2): 1.2.2 CV规则按比例缩小理论
28 (p1-2-3): 1.2.3 优化的按比例缩小规则
30 (p1-2-4): 1.2.4 CMOS按比例缩小的趋势
33 (p1-3): 1.3 高场效应对小尺寸器件性能的影响
34 (p1-3-1): 1.3.1 栅氧化层减薄的限制
43 (p1-3-2): 1.3.2 热电子效应
56 (p1-3-3): 1.3.3 迁移率退化和速度饱和
66 (p1-3-4): 1.3.4 源-漏穿通和击穿
76 (p1-4): 1.4 器件参数涨落的影响
76 (p1-4-1): 1.4.1 杂质随机分布的影响
87 (p1-4-2): 1.4.2 栅线条边沿粗糙的影响
96 (p1-4-3): 1.4.3 其他工艺因素的影响以及各种因素的比较
99 (p1-5): 1.5 寄生效应的影响
99 (p1-5-1): 1.5.1 MOS晶体管中的寄生效应
111 (p1-5-2): 1.5.2 互连线的寄生效应
136 (p1-6): 参考文献
144 (p2): 第二章 VLSI存储器
144 (p2-1): 2.1 VLSI存储器概述
144 (p2-1-1): 2.1.1 存储器的分类
145 (p2-1-2): 2.1.2 存储器的发展现状与趋势
146 (p2-1-3): 2.1.3 存储器的总体结构
148 (p2-2): 2.2 DRAM存储器设计
148 (p2-2-1): 2.2.1 DRAM单元设计
150 (p2-2-2): 2.2.2 DRAM单元结构的发展
161 (p2-2-3): 2.2.3 DRAM单元阵列设计
178 (p2-2-4): 2.2.4 DRAM的刷新
181 (p2-3): 2.3 SRAM存储器设计
182 (p2-3-1): 2.3.1 SRAM单元设计
188 (p2-3-2): 2.3.2 SRAM单元的稳定性
192 (p2-3-3): 2.3.3 改进的SRAM单元
196 (p2-3-4): 2.3.4 SRAM阵列设计
199 (p2-4): 2.4 不挥发性存储器
200 (p2-4-1): 2.4.1 掩膜式ROM
203 (p2-4-2): 2.4.2 多晶硅电阻编程ROM
204 (p2-4-3): 2.4.3 EPROM/E2PROM
206 (p2-4-4): 2.4.4 快闪存储器（Flash Memory）
214 (p2-4-5): 2.4.5 电荷俘获存储器（CTM）
217 (p2-5): 2.5 新型存储器
217 (p2-5-1): 2.5.1 铁电随机存储器（FeRAM）
219 (p2-5-2): 2.5.2 磁阻随机存储器（MRAM）
224 (p2-5-3): 2.5.3 相变随机存储器（PRAM）
227 (p2-5-4): 2.5.4 阻变随机存储器（RRAM）
232 (p2-5-5): 2.5.5 新型存储器小结
233 (p2-6): 2.6 存储器外围电路设计
233 (p2-6-1): 2.6.1 译码器
236 (p2-6-2): 2.6.2 地址缓冲器
239 (p2-6-3): 2.6.3 输出缓冲器
240 (p2-6-4): 2.6.4 时钟发生器
242 (p2-6-5): 2.6.5 参考电压
244 (p2-6-6): 2.6.6 外围电路的减小亚阈值电流技术
246 (p2-7): 参考文献
255 (p3): 第三章 运算器
255 (p3-1): 3.1 加法器
256 (p3-1-1): 3.1.1 全加器
265 (p3-1-2): 3.1.2 多位加法器结构
268 (p3-1-3): 3.1.3 加法器电路结构
276 (p3-1-4): 3.1.4 基于加法器的算术逻辑单元
284 (p3-2): 3.2 乘法器
284 (p3-2-1): 3.2.1 乘法算法
286 (p3-2-2): 3.2.2 乘法器结构
291 (p3-2-3): 3.2.3 波茨算法
294 (p3-3): 3.3 移位器
294 (p3-3-1): 3.3.1 简单移位器
295 (p3-3-2): 3.3.2 对数移位器
295 (p3-3-3): 3.3.3 筒式移位器
296 (p3-4): 3.4…