电子学原理与应用

1 (p1): 第1章 固态电子学
1 (p1-1): 1.1固态电子学材料
2 (p1-2): 1.2共价键模型
5 (p1-3): 1.3半导体中的漂移电流与迁移率
5 (p1-3-1): 1.3.1漂移电流
5 (p1-3-2): 1.3.2迁移率
6 (p1-3-3): 1.3.3饱和速度
6 (p1-4): 1.4本征硅的电阻率
7 (p1-5): 1.5半导体掺杂
7 (p1-5-1): 1.5.1硅晶体中的施主杂质
8 (p1-5-2): 1.5.2硅晶体中的受主原子
9 (p1-6): 1.6掺杂半导体中电子与空穴的浓度
9 (p1-6-1): 1.6.1 N型材料（ND＞NA）
9 (p1-6-2): 1.6.2 P型材料（NA＞ND）
10 (p1-7): 1.7掺杂半导体的迁移率与电阻率
13 (p1-8): 1.8扩散电流
14 (p1-9): 1.9总电流
14 (p1-10): 1.10能带模型
15 (p1-10-1): 1.10.1本征半导体内的电子-空穴对
15 (p1-10-2): 1.10.2掺杂半导体的能带模型
16 (p1-10-3): 1.10.3补偿半导体
16 (p1-11): 小结
18 (p1-12): 习题
21 (p2): 第2章 二极管与二极管电路
21 (p2-1): 2.1 PN结二极管
22 (p2-1-1): 2.1.1 PN结的静态电荷
24 (p2-1-2): 2.1.2二极管内的电流
25 (p2-2): 2.2二极管的伏安特性
26 (p2-3): 2.3二极管的数学模型
28 (p2-4): 2.4反向偏置、零偏置、正向偏置下的二极管特性
28 (p2-4-1): 2.4.1反向偏置
28 (p2-4-2): 2.4.2零偏置
28 (p2-4-3): 2.4.3正向偏置
29 (p2-5): 2.5二极管的温度系数
31 (p2-6): 2.6反向偏置二极管
31 (p2-6-1): 2.6.1实际二极管的饱和电流
32 (p2-6-2): 2.6.2反向击穿电压
32 (p2-6-3): 2.6.3击穿区的二极管模型
33 (p2-7): 2.7 PN结电容
33 (p2-7-1): 2.7.1反向偏置电容
33 (p2-7-2): 2.7.2正向偏置电容
33 (p2-8): 2.8肖特基势垒二极管
34 (p2-9): 2.9二极管模型与版图
35 (p2-10): 2.10二极管电路
36 (p2-10-1): 2.10.1负载线分析
37 (p2-10-2): 2.10.2用数学模型分析
38 (p2-10-3): 2.10.3用理想二极管模型分析
40 (p2-10-4): 2.10.4恒压降二极管模型分析
41 (p2-10-5): 2.10.5模型比较与讨论
41 (p2-11): 2.11多二极管电路
41 (p2-11-1): 2.11.1含两个二极管电路分析
42 (p2-11-2): 2.11.2含三个二极管电路分析
43 (p2-12): 2.12工作在击穿区的二极管
44 (p2-12-1): 2.12.1负载线分析
44 (p2-12-2): 2.12.2分段线性化模型分析
44 (p2-12-3): 2.12.3稳压器
45 (p2-12-4): 2.12.4考虑稳压二极管齐纳电阻电路分析
46 (p2-12-5): 2.12.5电源与负载的稳定性
46 (p2-13): 2.13半波整流电路
47 (p2-13-1): 2.13.1电阻负载的半波整流电路
48 (p2-13-2): 2.13.2滤波电容
49 (p2-13-3): 2.13.3有RC负载的半波整流电路
49 (p2-13-4): 2.13.4纹波电压与导通间隔
51 (p2-13-5): 2.13.5二极管电流
52 (p2-13-6): 2.13.6浪涌电流
52 (p2-13-7): 2.13.7额定反向峰值电压
52 (p2-13-8): 2.13.8二极管功耗
53 (p2-13-9): 2.13.9输出负电压的半波整流电路
53 (p2-14): 2.14全波整流电路
53 (p2-14-1): 2.14.1输出正电压
54 (p2-14-2): 2.14.2输出负电压
55 (p2-15): 2.15桥式全波整流
55 (p2-16): 2.16整流电路比较与设计权衡
56 (p2-17): 2.17直流-直流（DC-DC）变换器
57 (p2-17-1): 2.17.1升压（boost）变换器
59 (p2-17-2): 2.17.2降压（buck）变换器
61 (p2-18): 2.18二极管的动态开关特性
62 (p2-19):…